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氮化硅片
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商品说明
尺寸:2-6英寸; 工艺:LPCVD，PECVD; 氮化厚度:几十纳米至几微米，低应力:<250MPa; 出货速度:长期备有大量现货，当天出库; 订制能力:各种参数均可订制; 用途:钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的 强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。 多用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域。 |
